SI - Product - 알케미스트 | 반도체 공정용 Si·Quartz·SiC 부품 전문기업

웨이퍼의 외곽 테두리를 빈틈없이 감싸는 형태로 장착되어, 챔버 내부에 형성된 플라즈마 이온이 외부로 흩어지는 것을 방지하고 웨이퍼 표면으로 정확하게
집중될 수 있도록 유도합니다

Electrode

식각 장비 챔버 상단에 위치한 이 부품은 미세 가스홀을 통해 반응성 가스를 웨이퍼 전면에 오차 없이 균일하게 분사합니다. 동시에 최적의 플라즈마 분포를 유도하여, 초미세 식각 공정에서 완벽한 공정 균일도를 구현하는 핵심 역할을 수행합니다.

항목	Electrode
적용 (Process)	Etcher
소재 (Material)	Single Crystal
제품 종류(Parts)	Si Electrode
외경 (Size)	Ø200 ~ 400 mm
저항 (Resistivity)	Low: < 0.02 Ω·cm Normal: 1~4 Ω·cm High: 60~90 Ω·cm
가스 홀 (Gas Hole)	Diameter 0.3~1.0mm Roundness < 0.05mm Concentricity < 0.05mm
표면 처리 (Surface Finish)	Etching / Polishing / Lapping
외관 품질 (Appearance)	Chipping / Scratch / Crack / Stain Free

Ring

웨이퍼의 외곽 테두리를 빈틈없이 감싸는 형태로 장착되어, 챔버 내부에 형성된 플라즈마 이온이 외부로 흩어지는 것을 방지하고 웨이퍼 표면으로 정확하게 집중될 수 있도록 유도합니다.

항목	Ring
적용 (Process)	Etcher
소재 (Material)	Single Crystal / Poly Crystal
제품 종류(Parts)	Focus Ring, Edge Ring, Insert Ring
외경 (Size)	Ø200 ~ 600 mm
저항 (Resistivity)	Low: < 0.02 Ω·cm Normal: 1~4 Ω·cm
가스 홀 (Gas Hole)	N/A
표면 처리 (Surface Finish)	Polishing / Lapping / Grinding
외관 품질 (Appearance)	Chipping / Scratch / Crack / Stain Free